臺(tái)積電發(fā)布N4P工藝明年流片：性能提升11%，功耗降低22%

　　臺(tái)積電近日介紹稱(chēng)，N4P制程是5nm家族的第三次重大改進(jìn)，相比原始N5制程性能提升11%，電源效率提升22%，晶體管密度提升6%。相比于更先進(jìn)的N4制程，N4P依舊取得6%的性能提升，還通過(guò)減少掩模數(shù)量降低了工藝復(fù)雜性，并縮短晶圓周期時(shí)間。

　　同時(shí)，N4P工藝可以輕松遷移基于5nm平臺(tái)的產(chǎn)品，降低客戶(hù)的研發(fā)成本，還能為5nm平臺(tái)產(chǎn)品提供更快、更節(jié)能的更新。N4P制程正在合作伙伴的幫助下加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，預(yù)計(jì)在2022年下半年開(kāi)始流片。

　　目前，臺(tái)積電擁有相當(dāng)成熟的5nm工藝，蘋(píng)果A15就是基于臺(tái)積電最新5nm工藝打造，相比去年的A14性能提升，功耗降低。同時(shí)，臺(tái)積電還推出4nm工藝，天璣2000將基于4nm工藝打造。除此之外，臺(tái)積電3nm工藝可能在明年量產(chǎn)，英特爾成為該技術(shù)的最大客戶(hù)。

　　如今，臺(tái)積電又帶來(lái)了N4P工藝，相較于4nm也有小幅性能提升，按照蘋(píng)果樂(lè)于嘗鮮的作風(fēng)，下一代A16有很大概率會(huì)基于N4P工藝打造。先前就有傳言稱(chēng)，蘋(píng)果下一代處理器會(huì)首發(fā)臺(tái)積電3nm工藝，但因?yàn)榧夹g(shù)限制，3nm的量產(chǎn)時(shí)間被推遲，產(chǎn)能也無(wú)法保證，所以猜測(cè)蘋(píng)果可能會(huì)轉(zhuǎn)為更穩(wěn)妥的4nm工藝。如今，N4P制程的出現(xiàn)，無(wú)疑給蘋(píng)果提供更好的選擇。

　　半導(dǎo)體制程邁入5nm工藝后，已經(jīng)很難在性能和功耗兩方面都取得大幅提升，增強(qiáng)性能的同時(shí)必然會(huì)增加功耗，所以只能是在兩者間達(dá)到一個(gè)平衡。臺(tái)積電5nm、4nm、3nm以及全新的N4P，應(yīng)該是針對(duì)性能、功耗、晶體管密度等方面做出不同方向優(yōu)化，以滿(mǎn)足客戶(hù)的不同需求。

　　今年全球缺芯給臺(tái)積電帶來(lái)巨大產(chǎn)能壓力，未來(lái)，整個(gè)行業(yè)對(duì)先進(jìn)工藝芯片的需求會(huì)越來(lái)越高。臺(tái)積電除了擴(kuò)大產(chǎn)能外，或許只能通過(guò)增加新工藝，來(lái)緩解其他工藝的產(chǎn)能壓力了。