三星開始開發(fā)DDR6內(nèi)存 采用MSAP封裝技術(shù) 傳速新高！

　　DDR5內(nèi)存幾個(gè)月前才成為主流，但三星已經(jīng)在下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)過程中。

　　三星證實(shí)，DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)已經(jīng)開始，利用MSAP技術(shù)，目標(biāo)是提供高達(dá)17000 Mbps的速度。

　　在韓國水原的一次研討會(huì)上，三星負(fù)責(zé)測(cè)試和系統(tǒng)封裝（TSP）的副總裁透露，封裝技術(shù)需要隨著未來內(nèi)存本身性能的擴(kuò)展而發(fā)展。該公司證實(shí)，它已經(jīng)處于下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)階段，將利用MSAP封裝技術(shù)。

　　據(jù)三星稱，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手（SK Hynix和Micron）已在DDR5中使用MSAP。那么MSAP有什么新功能呢？MSAP或改進(jìn)的半加性工藝允許DRAM制造商制造具有更精細(xì)電路的內(nèi)存模塊。這是通過在之前未觸及的空白空間中涂覆電路圖案來實(shí)現(xiàn)的，從而實(shí)現(xiàn)更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內(nèi)存不僅將利用MSAP來增強(qiáng)電路連接，還將適應(yīng)將并入DDR6內(nèi)存的層數(shù)增加。

　　先前的拉幅方法僅在圓形銅板的涂層區(qū)域形成電路圖案，而其他區(qū)域則被蝕刻掉。

　　但在MSAP中，除了電路之外的區(qū)域被涂覆，空白空間被鍍，從而允許更精細(xì)的電路。這位副總裁說，隨著內(nèi)存芯片的容量和數(shù)據(jù)處理速度的提高，封裝的設(shè)計(jì)必須與之相適應(yīng)。隨著層數(shù)的增加和過程變得更加復(fù)雜，預(yù)計(jì)內(nèi)存封裝市場(chǎng)也將呈指數(shù)增長。

　　在扇出封裝技術(shù)方面，三星同時(shí)采用了扇出晶圓級(jí)封裝（FO-WLP）和扇出面板級(jí)封裝（FO-PLP），這是另一種將輸入/輸出端子放置在芯片外部的封裝技術(shù)，以使芯片在保持球形布局的同時(shí)變得更小。

　　通過ELEC，韓國電子工業(yè)媒體

　　三星預(yù)計(jì)其DDR6設(shè)計(jì)將于2024年完成，但預(yù)計(jì)2025年后不會(huì)投入商業(yè)使用。就規(guī)格而言，DDR6內(nèi)存的速度將是現(xiàn)有DDR5內(nèi)存的兩倍，傳輸速度高達(dá)12800 Mbps（JEDEC），超頻速度超過17000 Mbps。目前，三星最快的DDR5 DIMM傳輸速度高達(dá)7200 Mbps，因此JEDEC的傳輸速度提高了1.7倍，下一代內(nèi)存芯片的超頻速度提高了2.36倍。

　　話雖如此，內(nèi)存制造商已經(jīng)強(qiáng)調(diào)在未來DDR5-12600的速度，所以DDR5肯定有潛力成為消費(fèi)者平臺(tái)。今年晚些時(shí)候，隨著AMD的Zen 4和Intel的Raptor Lake CPU平臺(tái)的推出，預(yù)計(jì)DDR5內(nèi)存模塊的速度會(huì)更快，性能也會(huì)更好。