根據(jù)韓聯(lián)社報道,三星電子預(yù)計將在下周宣布,他們將開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片,而下一代的3納米芯片將使用GAA技術(shù)。
三星官方介紹稱,與現(xiàn)有的FinFET工藝相比,新的“GAA(Gate-All-Around)”技術(shù)將使芯片面積減少45%,同時性能提高30%,功耗降低50%。
三星與臺積電在芯片制造領(lǐng)域一直都保持著激烈的競爭。全球最大的合約芯片制造商臺積電表示,它將在今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。而此前三星表示,其2納米工藝節(jié)點正處于早期開發(fā)階段,計劃在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
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十年磨一劍
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