根據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)上取得了重大突破,將在生產(chǎn)中首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管技術(shù)。
此外,N2工藝還結(jié)合了NanoFlex技術(shù),為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。相比于目前的N3E工藝,N2工藝預(yù)計(jì)將在相同功率下實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升,或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更為令人在意的是,晶體管密度將提升15%,這標(biāo)志著臺(tái)積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
報(bào)道中稱,臺(tái)積電在2nm工藝將繼續(xù)漲價(jià),每片晶圓超3萬(wàn)美元、達(dá)4/5nm兩倍。
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GHS還是第一生產(chǎn)力
網(wǎng)絡(luò)炫富的上半場(chǎng)已經(jīng)過(guò)去,現(xiàn)在到來(lái)的是賽博哭窮下一階段。