2月20日,JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)正式發(fā)布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。
相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)準(zhǔn),LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻番。如果匹配高端智能機(jī)常見的64bit bus,每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù);要是PC的128bit BUS,每秒破100GB無壓力。
固態(tài)協(xié)會認(rèn)為,LPDDR5有望對下一代便攜電子設(shè)備(手機(jī)、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升,為了實(shí)現(xiàn)這一改進(jìn),標(biāo)準(zhǔn)對LPDDR5體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),轉(zhuǎn)向最高16 Bank可編程和多時鐘體系結(jié)構(gòu)。
同時,還引入了數(shù)據(jù)復(fù)制(Data-Copy)和寫X(Write-X)兩個減少數(shù)據(jù)傳輸操作的命令來降低整體系統(tǒng)功耗,前者可以將單個陣腳的數(shù)據(jù)直接復(fù)制到其它針腳,后者則減少了SoC和RAM傳遞數(shù)據(jù)時的耗電。
另外,LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯,信號電壓250mV,Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。
事實(shí)上,去年7月,三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,基于10nm級工藝,單顆容量8Gb(1GB),去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上,三星人士透露,LPDDR5內(nèi)存計(jì)劃2020年商用。