Intel、AMD推遲發(fā)布支持平臺(tái)：DDR5內(nèi)存明年到來(lái)

　　據(jù)外媒報(bào)道稱，由于種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。

　　三星方面也已經(jīng)表示，2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，并且使用EUV工藝，制作將會(huì)在韓國(guó)平澤的新工廠進(jìn)行，三星同時(shí)宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬(wàn)。

　　三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟，并提高了光刻的準(zhǔn)確度，從而提高性能、提高產(chǎn)量，并縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。三星估計(jì)，使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存，其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì)比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。

　　據(jù)悉，三星第四代10nm級(jí)（D1a）DRAM或高端14nm級(jí)DRAM開(kāi)始全面導(dǎo)入EUV技術(shù)，明年會(huì)使用D1a工藝大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12英寸晶圓廠的生產(chǎn)效率翻倍。

　　DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)是在2019年發(fā)布的，標(biāo)準(zhǔn)帶寬是32GBps，至于這個(gè)內(nèi)存更多的細(xì)節(jié)，目前還不清楚。