DDR4提速3200Mbps Cadence正式宣布DDR4物理層

　　今年三季度的Haswell-E/EP將成為首個(gè)支持DDR4內(nèi)存的平臺(tái)，美光、三星、SK Hynix的DDR4內(nèi)存也在進(jìn)行中。目前DDR4的運(yùn)行速率并不算多高，初代產(chǎn)品多數(shù)都是DDR4-2133規(guī)格的，甚至不及高頻DDR3內(nèi)存。Cadence公司日前宣布他們已經(jīng)使用TSMC的16nm FinFET工藝生產(chǎn)了新DDR40內(nèi)存物理層IP，速度可達(dá)3200Mbps。

Intel的Haswell-E平臺(tái)將率先支持DDR4內(nèi)存

　　JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的DDR4內(nèi)存頻率是16000-3200Mbps，目前美光等公司生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存頻率普遍都是DDR4-2133標(biāo)準(zhǔn)的，更高速的內(nèi)存還在開發(fā)中。Cadence公司雖然不是內(nèi)存廠商，不過他們的內(nèi)存物理層IP可為其他SoC廠商的高速DDR4內(nèi)存奠定了基礎(chǔ)。此前他們使用TSMC的28nm工藝推出了首款DDR4-2400物理層及控制器，現(xiàn)在則在TSMC的16nm FinFET工藝幫助下實(shí)現(xiàn)了DDR4-3200內(nèi)存物理層的開發(fā)。

　　據(jù)Cadence公司所說，其他公司不需要重新設(shè)計(jì)DDR4物理層接口，即便原來的最高速率只有DD4-2400，Cadence公司的物理層IP也可以通過提升額外的魯棒性、改善系統(tǒng)余量實(shí)現(xiàn)DDR4-3200Mbps運(yùn)行。此外，最新的DDR4-3200物理層IP還向下兼容早期的DDR3及低速率DDR4內(nèi)存規(guī)范。

Cadence公司的DDR4-3200物理層IP的優(yōu)勢(shì)